[发明专利]一种WO3电致变色薄膜的制备方法有效
申请号: | 201310174818.0 | 申请日: | 2013-05-10 |
公开(公告)号: | CN103246119A | 公开(公告)日: | 2013-08-14 |
发明(设计)人: | 邹友生;张亦弛;邓丽琴;楼冬;汪海鹏;窦康;涂承君;万兰风;殷胜 | 申请(专利权)人: | 南京理工大学 |
主分类号: | G02F1/153 | 分类号: | G02F1/153 |
代理公司: | 南京理工大学专利中心 32203 | 代理人: | 马鲁晋 |
地址: | 210094 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | WO3薄膜具有可见光透射率调节范围大、着色效率高、响应时间短、循环稳定性好和环境友好等优点。基于WO3薄膜的电致变色器件可广泛应用于建筑、汽车等作为节能灵巧窗。本发明涉及WO3光电功能材料,提供了一种薄膜质量好、厚度均匀、变色响应时间短的WO3电致变色薄膜的制备方法。本发明以WO3为靶材,利用射频磁控溅射方法在透明导电ITO玻璃衬底上制备电致变色WO3薄膜。本发明制备工艺简单,容易控制,重复性好,沉积速率稳定,便于大规模生产制备。 | ||
搜索关键词: | 一种 wo sub 变色 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种WO3电致变色薄膜的制备方法,其特征在于,采用射频磁控溅射技术,以WO3陶瓷为阴极靶材,在ITO衬底上沉积WO3薄膜,具体包括以下步骤:步骤1、对ITO玻璃衬底进行清洗;步骤2、将ITO玻璃衬底固定在射频磁控溅射设备真空室内的衬底平台上,将WO3靶材安装在射频磁控溅射设备真空室内的靶位上,调节靶材与衬底之间的距离,对射频磁控溅射设备真空室抽真空;步骤3、将氩气通入真空室,调节氩气气压,之后打开射频电源开关,靶材起辉后通入氧气,调节氩气与氧气流量,并调节闸板阀,使真空室内气压固定,之后对WO3靶材进行预溅射清洗;步骤4、加热衬底,使衬底达到所需温度;步骤5、将衬底平台转至靶材正上方,转动挡板,使靶材与衬底间无遮挡,调节靶材与衬底之间的距离、氩气流量、氧气流量、衬底温度、溅射功率以及溅射时间这些工艺参数,在ITO玻璃上沉积WO3薄膜;步骤6、沉积结束后,依次关闭射频电源开关、衬底加热开关、分子泵以及机械泵,将挡板和衬底平台复位,待衬底在真空室中冷却到室温,打开真空室取出样品。
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