[发明专利]一种碳纳米管冷阴极结构有效
| 申请号： | 201310160288.4 | 申请日： | 2013-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN103258695A | 公开（公告）日： | 2013-08-21 |
| 发明（设计）人： | 乔宪武;杨小慧;丁红 | 申请（专利权）人： | 中国计量学院 |
| 主分类号： | H01J1/304 | 分类号： | H01J1/304 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 310018 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及电子显示器件，特别是一种碳纳米管冷阴极结构。本发明所述一种碳纳米管冷阴极结构，其中，使用丝网印刷方法在阴极上粘附碳纳米管束，所用丝网厚度不均匀，由此产生不同高度的碳纳米管束垂直排列在阴极上表面。所述一种碳纳米管冷阴极结构，其中，在单一方向上，相邻碳纳米管束存在高度差，碳纳米管束阵列模型顶端形成正弦波纹形状。所述模型，其中，绝缘层与栅极组成的结构固定在碳纳米管束形成的波谷位置，垂直固定于阴极上表面。本发明的有益效果是：通过碳纳米管束尖端高度分布变化，这一简单有效的方法，降低由于电磁屏蔽效应产生的损耗，提高碳纳米管束场发射效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 阴极 结构 | ||
【主权项】：
一种碳纳米管冷阴极结构，其特征在于：使用丝网印刷方法在阴极上粘附碳纳米管束(3)，所用丝网厚度不均匀，由此产生不同高度的碳纳米管束(3)垂直排列在阴极上表面。
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