[发明专利]一种α相酞菁氧钛多晶薄膜及其制备方法与应用有效
| 申请号： | 201310152832.0 | 申请日： | 2013-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN103258959A | 公开（公告）日： | 2013-08-21 |
| 发明（设计）人： | 胡文平;张宗鹏;江浪 | 申请（专利权）人： | 中国科学院化学研究所 |
| 主分类号： | H01L51/40 | 分类号： | H01L51/40;H01L51/30;H01L51/05 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 关畅;王春霞 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种α相酞菁氧钛多晶薄膜及其制备方法与应用。该方法包括如下步骤：（1）在二氧化硅基底上制备十八烷基三氯硅烷单分子层得到修饰的基底；（2）将所述修饰的基底进行真空蒸镀，则在所述十八烷基三氯硅烷单分子层上得到酞菁氧钛层；（3）通过物理气相传输法在所述酞菁氧钛层上制备酞菁氧钛薄膜，则在所述基底上即得到所述α相酞菁氧钛多晶薄膜。本发明提供的α相酞菁氧钛多晶薄膜的结晶性好，具有良好的半导体场效应性能，具有很好的空气稳定性。用本发明的α相酞菁氧钛多晶薄膜构筑的场效应晶体管具有良好的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 相酞菁氧钛 多晶 薄膜 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
一种α相酞菁氧钛多晶薄膜的制备方法，包括如下步骤：（1）在二氧化硅基底上制备十八烷基三氯硅烷单分子层得到修饰的基底；（2）将所述修饰的基底进行真空蒸镀，被蒸镀材料为酞菁氧钛，则在所述十八烷基三氯硅烷单分子层上得到酞菁氧钛层；（3）通过物理气相传输法在所述酞菁氧钛层上制备酞菁氧钛薄膜，则在所述基底上即得到所述α相酞菁氧钛多晶薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
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