[发明专利]可变电阻存储结构及其形成方法

摘要

可变电阻存储结构及其形成方法。一种半导体结构包括可变电阻存储结构。该半导体结构还包括介电层。可变电阻存储结构的一部分位于介电层上方。可变电阻存储结构包括嵌入介电层中的第一电极；设置在第一电极和一部分介电层的上方的可变电阻层；设置在可变电阻层上方的第二电极。

主权项

一种半导体结构，包括：介电层；以及可变电阻存储结构，其中所述可变电阻存储结构的至少一部分位于所述介电层上方，所述可变电阻存储结构包括：位于所述介电层下方的导电结构；位于所述介电层中的开口内的阻挡层，所述阻挡层位于所述导电结构上方且与所述导电结构直接接触；嵌入所述介电层中的所述开口内的第一电极，所述第一电极位于所述阻挡层上方且与所述阻挡层的整个上表面直接接触；设置在所述第一电极和一部分所述介电层的上方的可变电阻层；和设置在所述可变电阻层上方的第二电极；其中，所述介电层与所述第一电极的侧壁和所述阻挡层的侧壁均直接接触，所述阻挡层沿所述介电层的最低表面延伸；其中，所述半导体结构还包括位于所述可变电阻层和所述第二电极之间的覆盖层，所述覆盖层被配置为从所述可变电阻层夺取氧，并在所述可变电阻层中形成空位缺陷。