[发明专利]纳米电容器及其制备方法无效
申请号: | 201310146546.3 | 申请日: | 2013-04-24 |
公开(公告)号: | CN103337362A | 公开(公告)日: | 2013-10-02 |
发明(设计)人: | 郭宁;韦进全;王宇航;赵克寒;石晓兰;张留碗;贾怡;孙欢欢;朱宏伟;王昆林;吴德海 | 申请(专利权)人: | 清华大学 |
主分类号: | H01G4/08 | 分类号: | H01G4/08;H01G4/008 |
代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 贾玉 |
地址: | 100084 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供一种纳米电容器及其制备方法,其中,该纳米电容器包括上电极板、下电极板、以及位于所述上电极板与所述下电极板之间的介电层,其中,所述介电层为厚度0.4nm~60nm的六方氮化硼薄膜。根据本发明上述实施例的纳米电容器,具有良好的高频稳定性,且在温度为77~300K范围内,随着温度的升高,电容器的比电容值呈缓慢上升趋势,但总体变化量较小,表现出较好的温度稳定性。 | ||
搜索关键词: | 纳米 电容器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种纳米电容器,其特征在于,包括上电极板、下电极板、以及位于所述上电极板与所述下电极板之间的介电层,其中,所述介电层为厚度0.4~60nm的六方氮化硼薄膜。
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