[发明专利]一种基于钛酸铋的阻变存储器及其制备方法有效
| 申请号： | 201310145707.7 | 申请日： | 2013-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN103236497A | 公开（公告）日： | 2013-08-07 |
| 发明（设计）人： | 许积文;王华;周尚菊;杨玲;丘伟;张玉佩 | 申请（专利权）人： | 桂林电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 桂林市华杰专利商标事务所有限责任公司 45112 | 代理人： | 滕杰锋 |
| 地址： | 541004 广西*** | 国省代码： | 广西;45 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于钛酸铋材料的阻变存储器及其制备方法。阻变存储介质层为Bi4Ti3O12及其掺杂物，掺杂元素包括Nb、Ta、La、Sr、V、Nd、Ce、Sm、Ca和Pr，阻变介质层为薄膜形态。器件结构为衬底/下电极/阻变介质层/上电极，上、下电极材料为导电氧化物或金属，上、下电极的厚度为80nm到500nm，阻变介质层厚度为10nm到1000nm。整个存储器的制备使用磁控溅射方法。本发明的有益效果在于采用钛酸铋作为存储介质的阻变存储器具有较大的高低电阻比，有利于数字信息0和1的区分，降低了数据的写入和读取的误判。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 钛酸铋 存储器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种基于钛酸铋的阻变存储器件，包括从下至上叠接的衬底、下电极、阻变介质层和上电极四层材料，其特征是：阻变介质层为钛酸铋及其掺杂物，掺杂元素包括Nb、Ta、La、Sr、V、Nd、Ce、Sm、Ca和Pr，掺杂含量低于10at%。
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