[发明专利]一种复合等离子聚焦环及该聚焦环的更换方法无效
申请号: | 201310119903.7 | 申请日: | 2013-04-08 |
公开(公告)号: | CN103247507A | 公开(公告)日: | 2013-08-14 |
发明(设计)人: | 潘无忌;张东海;马斌 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | H01J37/21 | 分类号: | H01J37/21;H01L21/311 |
代理公司: | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人: | 竺路玲 |
地址: | 201210 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明应用于集成电路制造领域,尤其涉及一种复合等离子聚焦环及该聚焦环的更换方法,通过将传统的聚焦环划分为上下两个相对独立的上聚焦环和下聚焦环,并使得上聚焦环位于下聚焦环的上表面,同时设置上聚焦环的外径与下聚焦环的外径相等且上聚焦环内径大于下聚焦环的内径。在晶圆刻蚀过程中,聚焦环随着晶圆的刻蚀消耗到一定程度时,只需要对达到使用寿命的上聚焦环和/或下聚焦环进行更换,即可继续进行刻蚀工艺;还可通过单独更换不同规格的上聚焦环来满足不同的工艺生产要求,进而极大降低了生产成本,同时上下聚焦环凹凸不平的接触面也保证了上下聚焦环固定时的稳定性,提高了晶圆和聚焦环在生产中的安全性。 | ||
搜索关键词: | 一种 复合 等离子 聚焦 更换 方法 | ||
【主权项】:
一种复合等离子聚焦环,所述复合等离子聚焦环应用于刻蚀工艺中,其特征在于,所述复合等离子聚焦环包括上聚焦环和下聚焦环;所述上聚焦环部分覆盖所述下聚焦环的上表面,所述上聚焦环的外径与所述下聚焦环的外径相同,且所述上聚焦环的内径大于所述下聚焦环的内径。
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