[发明专利]电子装置有效

专利信息
申请号: 201310118010.0 申请日: 2009-05-18
公开(公告)号: CN103268920A 公开(公告)日: 2013-08-28
发明(设计)人: 京特·施米德;拉尔夫·克劳泽;斯特凡·塞德尔;奥利佛·魏斯;克里斯托夫·盖尔迪茨;鲁卡·苏霍宁;乌尔里希·尼德迈尔;弗里德里克·科兹洛夫斯基 申请(专利权)人: 欧司朗光电半导体有限公司
主分类号: H01L51/50 分类号: H01L51/50;H01L51/56
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 王萍;陈炜
地址: 德国雷*** 国省代码: 德国;DE
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摘要: 提出了一种电子装置,包括:衬底、第一电极、至少一个有机功能层和第二电极。有机功能层包括第一基质材料(30W)、第二基质材料(30B)和第三基质材料(30A),其中第一基质材料(30N)具有比第二基质材料(30B)和第三基质材料(30A)更大的带隙。
搜索关键词: 电子 装置
【主权项】:
一种电子装置,包括:-衬底,-第一电极,-至少一个有机功能层,以及-第二电极,其中所述至少一个有机功能层设置在第一电极和第二电极之间,并且其中所述至少一个有机功能层具有至少一个第一基质材料、至少一个第二基质材料和至少一个第三基质材料,并且第三基质材料具有的最低未占分子轨道(LUMO)在能量上低于第二基质材料的最低未占分子轨道和第一基质材料的最低未占分子轨道,并且其中第二基质材料具有的最高占用分子轨道(HOMO)在能量上高于第一基质材料的最高占用分子轨道和第三基质材料的最高占用分子轨道,其中第一基质材料具有如下最低未占分子轨道:该最低未占分子轨道在能量上高于第二基质材料的最低未占分子轨道和第三基质材料的最低未占分子轨道,并且具有如下的最高占用分子轨道:该最高占用分子轨道在能量上低于第二基质材料的最高占用分子轨道和第三基质材料的最高占用分子轨道。
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