[发明专利]可变电阻元件以及非易失性半导体存储装置

摘要

本发明涉及可变电阻元件以及非易失性半导体存储装置。本发明实现一种动作裕度宽的高集成存储器。在第一电极（14）和第二电极（12）之间夹持包含金属氧化物的可变电阻体（13）而构成的可变电阻元件（1）中，在这样的金属氧化物中具有流过两电极（12、14）间的电流的电流密度局部高的电流路径，在两电极（12、14）中至少电阻率更高的一个特定电极的电阻率为100μΩcm以上的情况下，将这样的特定电极与可变电阻体（13）接触的接触区域的短边方向或短轴方向的尺寸（R）相对于特定电极的膜厚（d）设定为1.4倍以上。由此，降低起因于电极的加工偏差而在电极部分产生的寄生电阻的偏差，抑制起因于寄生电阻的偏差而产生的可变电阻元件的电阻变化特性的偏差。

主权项

一种可变电阻元件，其中，具备：在第一电极和第二电极之间包含金属氧化物而构成的可变电阻体，根据给所述第一和第二电极间施加的电应力，所述第一和第二电极间的电阻可逆地进行变化，在所述金属氧化物中具有流过所述第一和第二电极间的电流的电流密度局部高的电流路径，在所述第一电极和所述第二电极中，至少电阻率更高的一个特定电极的电阻率为100μΩcm以上，所述特定电极与所述可变电阻体接触的接触区域的短边方向或短轴方向的尺寸相对于所述特定电极的膜厚为1.4倍以上。