[发明专利]一种应用切比雪夫带通滤波器的宽带低噪声放大器无效
| 申请号： | 201310088458.2 | 申请日： | 2013-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN103326672A | 公开（公告）日： | 2013-09-25 |
| 发明（设计）人： | 李奚鹏 | 申请（专利权）人： | 苏州朗宽电子技术有限公司 |
| 主分类号： | H03F1/26 | 分类号： | H03F1/26 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215500 江苏省苏州市常熟市东南经*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种应用了切比雪夫滤波器的包含金属氧化物场效应管和双极性晶体管的低噪声放大电路结构。包括3个晶体管，第一个晶体管是金属氧化物场效应管，其栅极作为信号的输入端，源极相连后接偏置电流源的上端。信号从其漏极输入到第二个晶体管，也就是双极性晶体管的发射极上，双极性晶体管的基极接一固定偏置电压，使其始终工作在放大状态。输出信号接双极性晶体管的集电极，同时输出端也与两个电阻负载相连，电阻负载另外一端连电源电压。首先共源共基电路将输入电压信号转换为电流信号，然后流过两个电阻负载变为电压信号输出。在线性度方面，MOSFET满足平方律特性，双极型晶体管满足指数律特性，MOSFET线性度优于双极型晶体管，因此第二个晶体管选用MOSFET。如果MOSFET的尺寸选择合理，则该结构的1dB增益压缩等衡量线性度的指标将会大幅改进。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 应用 带通滤波器 宽带 低噪声放大器 | ||
【主权项】：
一种应用了切比雪夫滤波器的包含金属氧化物场效应管和双极性晶体管的低噪声放大电路结构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州朗宽电子技术有限公司，未经苏州朗宽电子技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310088458.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：矿用无极绳压绳装置中弹簧拆卸器
- 下一篇：顶轴器
