[发明专利]基于深N阱NMOS晶体管的源极跟随器

摘要

本发明提供一种基于深N阱NMOS晶体管的源极跟随器，属于源极跟随器技术领域。该源极跟随器包括电流源和用作输入器件的深N阱NMOS晶体管，其中，所述深N阱NMOS晶体管的体端与源极跟随器的输入端（Vin）连接，以至于使N阱NMOS晶体管的源极与体端之间的电压（Vsb）在输入信号变化的情况下基本保持恒定。该源极跟随器失真小、线性度好，尤其适合于在高速大负载场合应用。

主权项

一种基于深N阱NMOS晶体管的源极跟随器，包括电流源和用作输入器件的深N阱NMOS晶体管，所述深N阱NMOS晶体管包括：P型衬底，在所述P型衬底中构图掺杂形成的深N阱，在所述深N阱中构图掺杂形成的P阱，从所述P阱中引出的体端（B），在所述P阱中构图掺杂形成的源区和漏区，从所述深N阱引出的深N阱引出极，从所述漏区中引出的源极（S），从所述漏区中引出的漏极（D），以及栅极（G）；其中，所述栅极被定义为所述源极跟随器的输入端（Vin），所述源极被定义为所述源极跟随器的输出端（Vout），所述漏极和深N阱引出极接入高电平信号（VDD），所述电流源的两端分别连接所述源极和接地端；其中，所述体端（B）与所述输入端（Vin）连接，以至于使所述源极与所述体端之间的电压（Vsb）在输入信号变化的情况下基本保持恒定。