[发明专利]基于SiGe量子点模板刻蚀技术制备锗硅纳米柱的方法无效
| 申请号： | 201310074218.7 | 申请日： | 2013-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN103132077A | 公开（公告）日： | 2013-06-05 |
| 发明（设计）人： | 陈松岩;亓东锋;刘翰辉;李成;赖虹凯 | 申请（专利权）人： | 厦门大学 |
| 主分类号： | C23F1/02 | 分类号： | C23F1/02;C30B33/08 |
| 代理公司： | 厦门南强之路专利事务所 35200 | 代理人： | 马应森 |
| 地址： | 361005 *** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 基于SiGe量子点模板刻蚀技术制备锗硅纳米柱的方法，涉及一种SiGe纳米结构。提供一种大面积、纵向方向可控的、侧壁陡直度高的基于SiGe量子点模板刻蚀技术制备锗硅纳米柱的方法。1）将硅片清洗后，在UHV/CVD系统中，在硅片上生长Ge层；2）将步骤1）制备得到的样品置于氮气氛围中，采用KrF脉冲激光对样品进行辐照，得到直径不同的单层SiGe量子点；3）以步骤2）得到的单层SiGe量子点作为掩膜版，使用高能Ar+进行刻蚀，最终获得锗硅纳米柱。制作过程简单、重复性好。可对传统相关产业产生示范作用。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 sige 量子 模板 刻蚀 技术 制备 纳米 方法 | ||
【主权项】：
基于SiGe量子点模板刻蚀技术制备锗硅纳米柱的方法，其特征在于包括以下步骤：1）将硅片清洗后，在UHV/CVD系统中，在硅片上生长Ge层；2）将步骤1）制备得到的样品置于氮气氛围中，采用KrF脉冲激光对样品进行辐照，得到直径不同的单层SiGe量子点；3）以步骤2）得到的单层SiGe量子点作为掩膜版，使用高能Ar+进行刻蚀，最终获得锗硅纳米柱。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于厦门大学，未经厦门大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310074218.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
