[发明专利]纳米刻蚀印章及利用其进行纳米刻蚀的方法有效

专利信息
申请号: 201310062552.0 申请日: 2013-02-28
公开(公告)号: CN103145092A 公开(公告)日: 2013-06-12
发明(设计)人: 裴为华;陈三元;归强;陈弘达 申请(专利权)人: 中国科学院半导体研究所
主分类号: B81C1/00 分类号: B81C1/00
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 曹玲柱
地址: 100083 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提供了一种纳米刻蚀印章。该纳米刻蚀印章包括:印章体,其底面具有待加工纳米图形的反相图形;保护层,至少形成于印章体与腐蚀液接触部分的表面,其材料为抗腐蚀液的材料;以及金属催化层,至少形成于反相图形与待刻蚀衬底接触部分的保护层上,其材料为可催化腐蚀液与待刻蚀衬底反应的材料。本发明纳米刻蚀印章及利用其进行纳米刻蚀的方法中,在印章体上预先制备好了需要的纳米结构,通过金属催化腐蚀的手段可以直接将图形转移到衬底表面,图形化过程简单,无需附加掩模层,简化了纳米结构制备的工艺流程。
搜索关键词: 纳米 刻蚀 印章 利用 进行 方法
【主权项】:
一种纳米刻蚀印章,其特征在于,包括:印章体,其底面具有待加工纳米图形的反相图形;保护层,至少形成于所述印章体与腐蚀液接触部分的表面,其材料为抗腐蚀液的材料;以及金属催化层,至少形成于所述反相图形与待刻蚀衬底接触部分的保护层上,其材料为可催化腐蚀液与待刻蚀衬底反应的材料。
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