[发明专利]一种高结晶度聚偏氟乙烯的制备方法无效

专利信息
申请号: 201310060312.7 申请日: 2013-02-26
公开(公告)号: CN103146101A 公开(公告)日: 2013-06-12
发明(设计)人: 张光祖;姜胜林;易金桥;喻研;魏本杰;刘思思;付明;黎步银 申请(专利权)人: 华中科技大学
主分类号: C08L27/16 分类号: C08L27/16;C08L33/00;C08J3/00
代理公司: 华中科技大学专利中心 42201 代理人: 曹葆青
地址: 430074 湖北*** 国省代码: 湖北;42
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种高结晶度聚偏氟乙烯的制备方法。在PVDF材料制备中加入热膨胀系数远大于PVDF的微球膨胀剂,当温度从室温升至PVDF的熔融温度时,微球急剧膨胀,微球的体积较室温情况下增大约10~20倍。此后对PVDF进行降温,从熔融温度降温至室温的过程中,PVDF逐渐凝固结晶。在这一过程中,微球急剧收缩,使PVDF在凝固过程中体内形成均匀的张应力,张应力可提高PVDF中β相的结晶度。利用该方法制备的PVDF,其β相结晶度明显提高,材料热释电性能优于普通方法制备的PVDF材料。本发明制备的PVDF有机铁电材料具有较高的β相结晶度、自发极化率和良好的热释电性能,符合铁电有机材料使用要求。
搜索关键词: 一种 结晶度 聚偏氟 乙烯 制备 方法
【主权项】:
一种聚偏氟乙烯的制备方法,其步骤包括:(1)将PVDF与丙烯酸树脂微球膨胀剂按质量比99∶1~80∶20混合,球磨使其均匀混合;(2)烘干得到混合粉体;(3)将粉体加热至175℃~200℃,使PVDF熔融,同时在轴向施加2MPa~8MPa的压力;(4)保温10~60分钟,然后降温;(5)待温度降至100℃~80℃时,卸去压力,降温至室温。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华中科技大学,未经华中科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310060312.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top