[发明专利]一种片上电容校正装置和方法在审

专利信息
申请号: 201310059540.2 申请日: 2013-02-26
公开(公告)号: CN104009747A 公开(公告)日: 2014-08-27
发明(设计)人: 周栋梁;陆京辉;刘永才;谢豪律 申请(专利权)人: 中兴通讯股份有限公司
主分类号: H03K19/00 分类号: H03K19/00
代理公司: 工业和信息化部电子专利中心 11010 代理人: 齐洁茹
地址: 518057 广东省深圳市南山*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种片上电容校正装置和方法,所述装置包括:已校正电阻、开关电容阵列、比较器电路、逻辑控制电路、以及一端接地、另一端与开关电容阵列相连的开关;具体的,输入电流I流经已校正电阻,产生电压V1;输入电流kI对开关电容阵列充电T时间,产生电压V2;比较器电路对V1与V2进行比较,并将比较结果输出至逻辑控制电路;逻辑控制电路在V1小于等于V2时,输出校正结束信号;否则,控制所述开关闭合,待所述开关电容阵列放电至零后,断开所述开关,以及控制所述开关电容阵列减小设定量的电容值后,重复上述充电、比较过程。本发明降低了比较器电路的难度,减小了电容阵列所需调试的范围,提高了电容校正的精度。
搜索关键词: 一种 电容 校正 装置 方法
【主权项】:
一种片上电容校正装置,其特征在于,包括:已校正电阻、开关电容阵列、比较器电路、逻辑控制电路、以及开关,所述开关一端接地,另一端与所述开关电容阵列相连;输入电流I流经所述已校正电阻,产生电压V1;输入电流kI对所述开关电容阵列充电T时间,产生电压V2;其中,k为正整数;所述比较器电路对V1与V2进行比较,并将比较结果输出至逻辑控制电路;所述逻辑控制电路在V1小于等于V2时,输出校正结束信号;否则,控制所述开关闭合,待所述开关电容阵列放电至零后,断开所述开关,以及控制所述开关电容阵列减小设定量的电容值后,重复上述充电、比较过程。
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