[发明专利]高性能电子助听器无效
申请号: | 201310059346.4 | 申请日: | 2013-02-26 |
公开(公告)号: | CN103108276A | 公开(公告)日: | 2013-05-15 |
发明(设计)人: | 姜秀坤 | 申请(专利权)人: | 姜秀坤 |
主分类号: | H04R25/00 | 分类号: | H04R25/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 233000 安徽省蚌埠市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明提供了一种高性能电子助听器。它包括3V直流电源、拾音电路及音频前置放大电路、音频信号调节电路、BTL方式放大电路,其特征在于:所述的BTL方式放大电路中音频放大器芯片IC1使用的型号为TDA2822M。本发明所述的高性能电子助听器所用的音频放大器芯片,它常用在随身听、便携式的微型收录机、DVD等音响设备、电脑音响等电路中作功率放大;音频功率放大器芯片具有集成度高、外围元件少、且工作电压范围宽、电压低于1.8V时仍能正常工作,具有静态电流小、耗电少、音质好等特点。本发明所述的高性能电子助听器具有电路简单、输出功率完全满足听力有障碍人的要求,弥补了市场上有些助听器存在的缺陷。 | ||
搜索关键词: | 性能 电子 助听器 | ||
【主权项】:
一种高性能电子助听器,它包括3V直流电源、拾音电路及音频前置放大电路、音频信号调节电路、BTL方式放大电路,其特征在于:所述的拾音电路及音频前置放大电路由驻极体话筒MIC、电阻R1、耦合电容C1、NPN型晶体管BG1、负反馈电阻R2、负载电阻R3和交流负反馈电阻R4组成,驻极体话筒MIC的输出端接电阻R1的一端和耦合电容C1的一端,电阻R1的另一端接电路正极VCC,驻极体话筒MIC的外壳接电路地GND,耦合电容C1的另一端和负反馈电阻R2的一端接NPN型晶体管BG1的基极,NPN型晶体管BG1的集电极接负反馈电阻R2的另一端和负载电阻R3的一端,负载电阻R3的另一端接电路正极VCC,NPN型晶体管BG1的发射极通过交流负反馈电阻R4接电路地GND;所述的音频信号调节电路中的电解电容C2正极接NPN型晶体管BG1的集电极,电解电容C2负极接电位器RP的活动端,电位器RP的一端接音频放大器芯片IC1的第7脚,电位器RP的另一端接电路地GND;所述的BTL方式放大电路中音频放大器芯片IC1使用的型号为TDA2822M,音频放大器芯片IC1的第8脚接电解电容C4的正极,音频放大器芯片IC1的5脚接电解电容C4的负极和电容C5的一端,电容C5的另一端接电路地GND,音频放大器芯片IC1的第2脚接电路正极VCC,音频放大器芯片IC1的第4脚和第6脚接电路地GND,音频放大器芯片IC1的第1脚接电容C6的一端和耳机EP的一端,音频放大器芯片IC1的第3脚接电容C6的另一端和耳机EP的另一端;所述的3V直流电源正极与电路正极VCC相连,3V直流电源负极与电路地GND相连。
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