[发明专利]一种快速评价草菇受低温伤害程度的方法

摘要

本发明涉及一种快速评价草菇受低温伤害程度的方法，包括：（1）将活化后的草菇菌株接种到灭菌的PDA培养基上，静置培养3~4天；待菌丝长满平皿后，将其转接到PDY培养液中，然后振荡培养3~4天；（2）将PDY培养液中的菌丝球过滤，低温处理，在各个低温处理时间点分别取菌丝球20~25℃下振荡，测定初始电导率E1，再灭菌，振荡，测定终极电导率E2；根据计算结果即能评价出草菇受低温伤害的程度。本发明操作简便，易于掌握，整个系统的草菇受低温伤害程度鉴定都在可控条件下进行，使得测定数据更加可靠；此方法还可以用于不同草菇菌株间耐低温性的快速判断，能够大大缩短筛选耐低温突变株的育种周期。

主权项

一种快速评价草菇受低温伤害程度的方法，包括：（1）将活化后的草菇菌株接种到灭菌的PDA培养基上，于32~35℃、黑暗条件下静置培养3~4天；待菌丝长满平皿后，将其转接到PDY培养液中，然后在32~35℃、黑暗条件下振荡培养3~4天；（2）将PDY培养液中的菌丝球过滤，并在0~4℃低温下处理0~8h，在各个低温处理时间点分别取菌丝球放入装有20~30ml双蒸水的离心管中，20~25℃下振荡，测定初始电导率E1，再在121℃下灭菌20min，20~25℃下振荡，测定终极电导率E2；相对电导率的计算公式E%=(E1‑E0)/(E2‑E0)×100%，式中E0为双蒸水电导率，根据计算结果即能评价出草菇受低温伤害的程度。