[发明专利]铁酸铋/钛酸铋钠-钛酸钡异质结构铁电薄膜太阳能电池的制备方法有效
| 申请号： | 201310034117.7 | 申请日： | 2013-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN103078014A | 公开（公告）日： | 2013-05-01 |
| 发明（设计）人： | 郭益平;郭兵;刘河洲;李华;陶文燕;康红梅 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | H01L31/20 | 分类号： | H01L31/20 |
| 代理公司： | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人： | 蒋亮珠 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种铁酸铋/钛酸铋钠-钛酸钡异质结构铁电薄膜太阳能电池的制备方法，选择掺杂氟的SnO2透明导电玻璃(简称FTO)作为基底，通过化学溶液沉积法制备具有钙钛矿结构的(Na0.5Bi0.5)0.94Ba0.06TiO3以及BiFeO3铁电薄膜，然后通过物理溅射法在薄膜表面制备上电极即可。与现有技术相比，本发明能够以低的成本在FTO基板上制备出一致性高，重复性好的铁电光伏薄膜。所制备的异质结构薄膜具有比纯BiFeO3薄膜更为优越的光伏性能，可使其在光伏电池及光电子器件领域中获得应用。 | ||
| 搜索关键词： | 铁酸铋 钛酸铋钠 钛酸钡 结构 薄膜 太阳能电池 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种铁酸铋/钛酸铋钠‑钛酸钡异质结构铁电薄膜太阳能电池的制备方法， 其特征在于包括以下步骤： (1)首先通过化学溶液沉积法在FTO基板上沉积钙钛矿结构的钛酸铋钠‑钛酸钡(NBT‑BT)薄膜，得到NBT‑BT/FTO基板； (2)在带有NBT‑BT薄膜的NBT‑BT/FTO基板上，通过化学溶液沉积法在其上沉积BiFeO3(BFO)薄膜，获得铁酸铋/钛酸铋钠‑钛酸钡(BFO/NBT‑BT)异质结构铁电薄膜； (3)在带孔掩膜板的遮挡下采用物理溅射方法在BFO铁电薄膜表面制备上电极，得到BFO/NBT‑BT异质结构铁电薄膜太阳能电池。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
