[发明专利]一种多晶硅绒面结构及其制绒方法无效
申请号: | 201310020271.9 | 申请日: | 2013-01-21 |
公开(公告)号: | CN103094371A | 公开(公告)日: | 2013-05-08 |
发明(设计)人: | 张宏;刘鹏;徐晓斌 | 申请(专利权)人: | 西安交通大学苏州研究院 |
主分类号: | H01L31/0236 | 分类号: | H01L31/0236;H01L31/18 |
代理公司: | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人: | 范晴 |
地址: | 215123 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种多晶硅绒面结构及其制绒方法,多晶硅片的正面表面有:具有均匀分布的孔洞的制绒区,以及与太阳能硅电池正面银电极相对应的、具有平滑表面的非制绒区。本发明的多晶硅绒面结构降低了由于酸腐制绒造成的多晶硅表面缺陷对后续扩散、电极印刷和接触性能的影响,特别是避免了正面银电极正下方区域的酸腐刻蚀,提高了银电极印刷区域的表面平整度,减少了该区域缺陷,不仅使得银电极浆料的印刷性能得到提高,还加强了银电极同硅片的接触性,降低了接触电阻。同时,使得该区域的扩散更加均匀,降低了该区域的载流子复合。 | ||
搜索关键词: | 一种 多晶 硅绒面 结构 及其 方法 | ||
【主权项】:
一种多晶硅绒面结构,其特征在于多晶硅片(1)的正面表面有:具有均匀分布的孔洞(21)的制绒区(2),以及与太阳能硅电池正面银电极相对应的、具有平滑表面的非制绒区(3)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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