[发明专利]光电转换装置

摘要

本发明的一个方式提供一种具有不需要用来与电极连接的开口部的钝化膜的光电转换装置。一种光电转换装置，该光电转换装置在一对电极之间包括具有p型导电型的硅衬底；形成在硅衬底的一方的面一侧的与一对电极的一方接触的具有n型导电型的硅半导体层；以及形成在硅衬底的另一方的面一侧的与一对电极的另一方接触的具有p型导电型的氧化物半导体层。作为该氧化物半导体层，使用以属于第4族至第8族的金属的氧化物为主要成分且带隙为2eV以上的无机化合物。

主权项

一种光电转换装置，包括：第一电极；所述第一电极上的与该第一电极接触的第一半导体层；所述第一半导体层上的第二半导体层；所述第二半导体层上的第三半导体层；以及所述第三半导体层上的第二电极，其中，所述第一半导体层包含金属氧化物半导体，所述第一电极通过所述第一半导体层电连接到所述第二半导体层，所述第一半导体层不包括用于所述第一电极与所述第二半导体层之间的连接的开口，所述第一半导体层具有第一导电型，所述第二半导体层具有所述第一导电型，所述第三半导体层具有与所述第一导电型相反的第二导电型，并且，所述第一半导体层的载流子浓度比所述第二半导体层的载流子浓度低。