[发明专利]一种可调制带隙宽度的Fe-Cr-Si系三元非晶薄膜及其制备方法有效
| 申请号： | 201310016602.1 | 申请日： | 2013-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN103074553A | 公开（公告）日： | 2013-05-01 |
| 发明（设计）人： | 李晓娜;郑月红;董闯 | 申请（专利权）人： | 大连理工大学 |
| 主分类号： | C22C45/00 | 分类号： | C22C45/00;C23C14/14;C23C14/35 |
| 代理公司： | 大连星海专利事务所 21208 | 代理人： | 花向阳 |
| 地址： | 116024 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 一种可调制带隙宽度的Fe-Cr-Si三元非晶薄膜及其制备方法，属半导体材料技术领域。该薄膜材料具有如下通式：Fe3Cr1Six，x为8~18；随着x从8增加到18，带隙宽度从0增加到0.65eV，薄膜结构均为非晶态。该薄膜与普通的二元过渡金属硅化物薄膜相比有如下优点：①Fe3Cr1Six薄膜是一种新型的三元半导体非晶薄膜，可以做到从0到0.65eV较大范围内调制带隙宽度，Cr的作用不单可以影响带隙宽度，而且增加一个组元薄膜的非晶形成能力也会增加；②只要改变组合溅射靶中Fe3Cr1合金片的个数，即可方便地调整Fe3Cr1Six薄膜中Si的比例，进而获得不同带隙宽度；③Fe3Cr1Six薄膜均为非晶态，能够保证成分和性能均匀，有效回避晶态薄膜制备中的晶格失配以及多相混杂等问题。适宜制造近红外探测器等窄带隙半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 调制 宽度 fe cr si 三元 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种可调制带隙宽度的Fe‑Cr‑Si系三元非晶薄膜，其特征在于：具有如下通式：Fe3Cr1Six，x为8~18；随着x从8增加到18，该非晶薄膜材料的带隙宽度从0增加到0.65eV，薄膜结构始终为非晶态。
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