[发明专利]闪耀凹面全息光栅分区反应离子束的刻蚀方法

摘要

闪耀凹面全息光栅分区反应离子束的刻蚀方法，涉及光谱技术领域解决采用现有方法刻蚀凹面光栅获得的闪耀角不同，同时由于闪耀角差异影响闪耀凹面光栅的衍射效率的问题，本发明的刻蚀步骤为：凹面光栅掩模基片的放置；选取离子束入射角；凹面光栅基底分区；制作刻蚀狭缝；狭缝的放置；刻蚀凹面光栅。本发明对槽形为正弦型或类矩形的凹面光栅掩模基片进行分区反应离子束刻蚀，使得刻蚀后的闪耀凹面全息光栅的闪耀角一致性高，对制作出高衍射效率的闪耀凹面全息光栅有直接的重要意义。

主权项

1.闪耀凹面全息光栅分区反应离子束的刻蚀方法，其特征是，该方法由以下步骤实现：步骤一、对凹面光栅掩模基片（3）分区，沿所述凹面光栅掩模基片（3）过顶点并垂直于光栅刻线（2）方向的平面与凹面光栅掩模基片（3）表面的交线分N个区域，每个区域对应的圆心角（8）为；所述N为正整数，凹面光栅掩模基片（3）的半径为R，凹面光栅掩模基片（3）的宽度为W；步骤二、制作刻蚀狭缝（4），所述狭缝（4）为柱面，柱面半径与凹面光栅掩模基片（3）的半径相同，狭缝（4）的宽度（6）为，所述狭缝（4）的上圆弧线（9）及下圆弧线（10）与狭缝（4）的宽度（6）垂直；步骤三、调整狭缝（4）顶点B到凹面光栅掩模基片（3）的顶点A的距离，所述狭缝（4）的上圆弧线（9）和下圆弧线（10）与凹面光栅掩模基片（3）光栅刻线（2）平行，反应离子束通过狭缝（4）刻蚀凹面光栅掩模基片（3）的第一区域；所述的第一区域是相对圆心角（8）为的凹面光栅掩模基片（3）圆弧面上的光栅刻线区域；步骤四、调整回转工作台绕回转轴Y旋转，旋转的角度与圆心角（8）的角度相同，进行第二区域的刻蚀，依次以与圆心角相同的角度绕回转轴Y旋转，最终完成对N个区域的刻蚀。