[发明专利]低耗碱水热制备氧氯化锆的工艺方法有效
| 申请号： | 201310010214.2 | 申请日： | 2013-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN103011278A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 周涛;赵蜀春 | 申请（专利权）人： | 周涛;赵蜀春 |
| 主分类号： | C01G25/00 | 分类号： | C01G25/00 |
| 代理公司： | 成都天嘉专利事务所(普通合伙) 51211 | 代理人： | 赵丽 |
| 地址： | 610031 四川省成都*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种低耗碱水热制备氧氯化锆的工艺方法，属于化合物制备技术领域。本发明是将粉碎后的锆英砂（ZrSiO4）超细粉与NaOH溶液搅拌制浆后置入高压反应釜中进行水热反应，在温度200-300℃、压力3-7MPa、反应时间3-12h的条件下，即反应生成非晶或锥辉石晶的锆硅酸钠（Na2ZrSiO5）前驱体，然后再经盐酸脱钠、除硅、提纯、浓缩结晶，制备得到氧氯化锆晶体。本发明不但解决了锆英砂碱熔法生产氧氯化锆工艺中，NaOH消耗大，能耗高，过量的碱不能进行回收，给环境造成严重污染等问题，而且由该方法得到的氧氯化锆产品杂质含量低，纯度高。 | ||
| 搜索关键词： | 低耗 碱水 制备 氯化 工艺 方法 | ||
【主权项】：
一种低耗碱水热制备氧氯化锆的工艺方法，其特征在于：将粉碎后的锆英砂（ZrSiO4）超细粉与NaOH溶液搅拌制浆后置入高压反应釜中进行水热反应，在温度200‑300℃、压力3‑7MPa、反应时间3‑12h的条件下，即反应生成非晶或锥辉石晶的锆硅酸钠前驱体，然后再经盐酸脱钠、除硅、提纯、浓缩结晶，制备得到氧氯化锆晶体。
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