[发明专利]一种耐高温光纤宏弯损耗温度传感器的制造方法

摘要

一种耐高温光纤宏弯损耗温度传感器的制造方法，它包括以下步骤（1）该传感器使用对弯曲敏感的1060XP单模石英光纤；（2）将一根1060XP单模石英光纤中间一小段（长度约为65-100mm）去除涂覆层；（3）将去除涂覆层的单模光纤弯曲形成半径为10-20mm的裸光纤环；（4）通过化学镀黑Ni-P合金的方法使裸光纤环表面形成一层黑色吸收膜，其步骤是：用酒精对裸光纤环进行清洗；对裸光纤环进行敏化处理；对裸光纤环进行活化处理；对裸光纤环表面进行化学镀Ni-P合金；将光纤环浸入发黑液中形成表面黑Ni-P合金。本发明制作工艺简单、制造成本低，产品还具有灵敏度高、能实现高温测量的优点，为形成智能金属结构奠定了基础。

主权项

一种耐高温光纤宏弯损耗温度传感器的制造方法，其特征在于所述方法包括以下步骤：（1）该传感器使用对弯曲敏感的1060XP单模石英光纤；（2）将一根1060XP单模石英光纤中间一小段，长度为65‑100mm,浸入丙酮中20‑30分钟，然后用沾有酒精的棉花团轻轻除去涂覆层；（3）将去除涂覆层的单模光纤两头穿过一个长2mm，内部直径为300μm的聚合物管，形成弯曲半径为10‑20mm的裸光纤环，然后用502胶水注入聚合物管黏住裸光纤环的交叉点，使裸光纤环保持稳定，不变形；（4）通过化学镀黑Ni‑P合金的方法使裸光纤环表面形成一层黑色吸收膜，步骤是：用酒精对裸光纤环进行清洗；对裸光纤环进行敏化处理；对裸光纤环进行活化处理；对裸光纤环进行化学镀Ni‑P合金；将光纤环浸入发黑液中形成表面黑Ni‑P合金，其中发黑液的配方是4g/L H2SO4,10g/L高锰酸钾，工作温度为80‑82℃。