[发明专利]用于组合式静态和经过处理的系统体系结构有效
申请号: | 201280070679.0 | 申请日: | 2012-12-26 |
公开(公告)号: | CN104471697B | 公开(公告)日: | 2018-03-16 |
发明(设计)人: | P·利希;E·劳森;C·刘;T·布卢克;K·P.·费尔贝恩;R·L·鲁克;S·D·哈尼克斯四世 | 申请(专利权)人: | 因特瓦克公司 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司72002 | 代理人: | 张晰,王英 |
地址: | 美国加*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 公开了一种基板处理系统,其支持组合式的静态和经过处理。而且,提供了一种系统体系结构,其减小了覆盖区尺寸。该系统构造成使得基板在其中被垂直地处理,并且每个室都具有与其一个侧壁附接的处理源,其中另一个侧壁返回到互补的处理室。室系统能够由例如铝的单个金属块经机械加工而成,其中从两侧对金属块进行机械加工,从而壁保持且分隔每两个互补的处理室。 | ||
搜索关键词: | 用于 组合式 静态 经过 处理 系统 体系结构 | ||
【主权项】:
一种用于处理基板的系统,包括:装载锁室,其用于将基板从大气环境引入到真空环境中;装载布置,其用于将基板装载到基板载体上;静态处理室,其用于在所述载体静止的同时加热所述基板;经过处理室,其具有运送段和处理段,使所述运送段比所述基板的宽度宽,从而在先前基板的整个表面上完成溅射过程之前,新的载体能够容纳在所述经过处理室内;运送机构,其配置成以运送速度在所述运送段中运送所述载体并且以经过速度在所述处理段中运送所述载体,其中所述运送速度比所述经过速度快,并且其中所述运送机构以所述运送速度运送所述载体,从而赶上在所述经过处理室中已正被经过处理的先前载体,并且一旦所述载体赶上所述先前载体,所述载体就放慢速度并采取经过速度;转动室,所述转动室配置成转动所述载体以使其沿反向被运送;以及第二静态处理室和第二经过处理室,所述第二静态处理室具有与所述静态处理室共用的壁,所述第二经过处理室具有与所述经过处理室共用的壁,并且其中,所述载体在所述转动室中旋转之后沿反向穿过所述第二静态处理室和所述第二经过处理室,其中所述第二经过处理室具有第二运送段和第二处理段,其中一旦在所述经过处理室的所述处理段中的处理被完成,所述载体再次加速至所述运送速度以进入所述转动室;一旦所述载体进入所述转动室,所述载体放慢速度;一旦所述载体离开所述转动室,所述载体再次加速至所述经过速度以进入所述第二经过处理室的所述第二处理段,以便由所述第二经过处理室的所述第二处理段处理;并且一旦在所述第二经过处理室的所述第二处理段中的处理被完成,所述载体再次从所述经过速度加速至所述运送速度并进入所述第二静态处理室。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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