[发明专利]超声换能器设备及制造所述超声换能器设备的方法

摘要

本发明涉及一种超声换能器设备，其包括至少一个cMUT单元(30)，其用于发射和/或接收超声波，所述cMUT单元(30)包括单元薄膜(30a)和单元薄膜下方的空腔(30b)。所述设备还包括基底(10)，其具有第一侧面(10a)和第二侧面(10b)，所述至少一个cMUT单元(30)被布置在所述基底(10)的所述第一侧面(10a)上。所述基底(10)包括基底基层(12)和在正交于基底侧面(10a、10b)的方向上延伸进所述基底(10)的多个相邻沟槽(17a)，其中，在相邻沟槽(17a)之间形成每个间隔物(12a)。所述基底(10)还包括连接空腔(17b)，其连接所述沟槽(17a)并且在平行于所述基底侧面(10a、10b)的方向上延伸，所述沟槽(17a)和所述连接空腔(17b)一起形成所述基底(10)中的基底空腔(17)。所述基底(10)还包括基底薄膜(23)，其覆盖所述基底空腔(17)。所述基底空腔(17)位于所述cMUT单元(30)下方的所述基底(10)的区域中。本发明还涉及一种制造这样的超声换能器设备的方法。

主权项

一种超声换能器设备(100)，包括：至少一个cMUT单元(30)，其用于发射和/或接收超声波，所述cMUT单元(30)包括单元薄膜(30a)和所述单元薄膜(30a)下方的空腔(30b)，基底(10)，其具有第一侧面(10a)和第二侧面(10b)，所述至少一个cMUT单元(30)被布置在所述基底(10)的所述第一侧面(10a)上，其中，所述基底(10)包括：基底基层(12)，多个相邻沟槽(17a)，其在正交于所述基底侧面(10a、10b)的方向上延伸进所述基底基层(12)内，其中，在相邻沟槽(17a)之间形成每个间隔物(12a)，以及连接空腔(17b)，其连接所述沟槽(17a)并且在平行于所述基底侧面(10a、10b)的方向上延伸，所述沟槽(17a)和所述连接空腔(17b)一起形成所述基底(10)中的基底空腔(17)，以及基底薄膜(23)，其覆盖所述基底空腔(17)，其中，所述基底空腔(17)位于所述cMUT单元(30)下方的所述基底(10)的区域中。