[发明专利]用于制造针对氢氟酸蚀刻的保护层的方法、设置有该保护层的半导体器件及制造该半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201280063151.0 | 申请日： | 2012-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN104053626B | 公开（公告）日： | 2017-06-30 |
| 发明（设计）人： | S·洛萨;R·佩祖托;R·坎佩代利;M·阿兹佩提亚乌尔奎亚;M·珀尔提;L·埃斯波西托 | 申请（专利权）人： | 意法半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所11256 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 意大利阿格*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种用于制造用于保护中间结构层(22)免于用氢氟酸的蚀刻的保护层(25)的方法，中间结构层(22)由能够被氢氟酸蚀刻或破坏的材料制成，该方法包括下列步骤通过原子层沉积在中间结构层(22)上形成氧化铝的第一层；对氧化铝的第一层执行热结晶工艺，形成第一中间保护层(25a)；通过原子层沉积在第一中间保护层之上形成氧化铝的第二层；以及对氧化铝的第二层执行热结晶工艺，形成第二中间保护层(25b)，以及由此完成保护层(25)的形成。用于形成保护层(25)的方法可以例如在诸如陀螺仪或加速计的惯性传感器的制造步骤期间使用。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 针对 氢氟酸 蚀刻 保护层 方法 设置 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种用于制造用于针对用氢氟酸的蚀刻保护支撑层(22)的保护层(25；125；225)的方法，所述支撑层(22)由可以被氢氟酸蚀刻或破坏的材料制成，所述方法包括下列步骤：－通过原子层沉积在所述支撑层(22)上形成氧化铝的第一层；－对氧化铝的第一层执行热结晶工艺，形成第一中间层(25a；125a；225a)；－通过原子层沉积在所述第一中间层之上形成氧化铝的第二层；以及－对所述氧化铝的第二层执行热结晶工艺，形成第二中间层(25b；125b；225b)，所述第一中间层和所述第二中间层形成所述保护层(25；125；225)，其中所述第二中间层(25b；125b；225b)被形成为与所述第一中间层(25a；125a；225a)接触；其中所述执行所述氧化铝的第一层和所述氧化铝的第二层的热结晶工艺的步骤各包括：－在800和1100℃之间的温度下执行快速热工艺达在10秒和2分钟之间的时段；或者－在800和1100℃之间的温度下在炉中加热达在10分钟和90分钟之间的时段。
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