[发明专利]用于随机数产生器的具有磁阻元件的熵源有效
申请号: | 201280051736.0 | 申请日: | 2012-09-17 |
公开(公告)号: | CN103890712A | 公开(公告)日: | 2014-06-25 |
发明(设计)人: | 戴维·M·雅各布森;朱晓春;吴文清;肯德里克·海·良·袁;升·H·康 | 申请(专利权)人: | 高通股份有限公司 |
主分类号: | G06F7/58 | 分类号: | G06F7/58 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 宋献涛 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明揭示熵源和随机数RN产生器。在一个方面中,低能量熵源包含磁阻MR元件和感测电路。所述MR元件被施加静态电流并且具有基于所述MR元件的磁化而确定的可变电阻。感测电路感测所述MR元件的电阻,并且基于所述MR元件的感测到的电阻提供随机值。在另一方面中,RN产生器包含熵源和后处理模块。熵源包含至少一个MR元件,并且基于所述至少一个MR元件提供第一随机值。所述后处理模块接收和处理所述第一随机值(例如,基于密码散列函数、错误检测码、流密码算法等),并且提供具有改善的随机性特性的第二随机值。 | ||
搜索关键词: | 用于 随机数 产生器 具有 磁阻 元件 | ||
【主权项】:
一种设备,其包括:磁阻MR元件,其被施加静态电流,并且具有基于所述MR元件的磁化而确定的可变电阻;以及感测电路,其经配置以感测所述MR元件的所述电阻,并且基于所述MR元件的所述感测到的电阻提供随机值。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于高通股份有限公司,未经高通股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201280051736.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。