[发明专利]等离子CVD装置无效
申请号: | 201280038128.6 | 申请日: | 2012-07-25 |
公开(公告)号: | CN103703163A | 公开(公告)日: | 2014-04-02 |
发明(设计)人: | 玉垣浩;芳贺润二 | 申请(专利权)人: | 株式会社神户制钢所 |
主分类号: | C23C16/458 | 分类号: | C23C16/458;C23C16/509 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 朱美红;李婷 |
地址: | 日本兵库*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明的等离子CVD装置具备:真空腔室;真空排气部,将上述真空腔室内真空排气;气体供给部,向上述真空腔室内供给原料气体;等离子产生电源,使供给到上述真空腔室内的原料气体产生等离子;多个自转保持部,以自转的状态保持上述基材;和多个公转机构,使上述多个自转保持部绕与上述自转保持部的旋转轴轴心平行的公转轴公转;上述多个公转机构分别被分到第1组和第2组的任一个中,所述第1组连接在上述等离子产生电源的一个极上,所述第2组连接在上述等离子产生电源的另一个极上。 | ||
搜索关键词: | 等离子 cvd 装置 | ||
【主权项】:
一种等离子CVD装置,在作为成膜对象的多个基材上分别形成被膜,其特征在于,具备:真空腔室;真空排气部,将上述真空腔室内真空排气;气体供给部,向上述真空腔室内供给原料气体;等离子产生电源,使供给到上述真空腔室内的原料气体产生等离子;多个自转保持部,一边自转一边保持上述基材;和多个公转机构,使上述多个自转保持部绕与上述自转保持部的旋转轴轴心平行的公转轴公转;上述多个公转机构分别被分到第1组和第2组的任一个中,所述第1组连接在上述等离子产生电源的一个极上,所述第2组连接在上述等离子产生电源的另一个极上。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的