[发明专利]光电转换元件、制造光电转换元件的方法和电子设备无效
| 申请号： | 201280008601.6 | 申请日： | 2012-02-10 |
| 公开（公告）号： | CN103392260A | 公开（公告）日： | 2013-11-13 |
| 发明（设计）人： | 津田辽平;诸冈正浩 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01M14/00 | 分类号： | H01M14/00;H01L31/04 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 梁兴龙;陈桂香 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了一种光电转换元件，具有其中具有电解液的电解质层形成在多孔电极和对电极之间的结构。选自GuOTf、EMImSCN、EMImOTf、EMImTFSI、EMImTfAc、EMImDINHOP、EMImMeSO3、EMImDCA、EMImBF4、EMImPF6、EMImFAP、EMImEt2PO4和EMImCB11H12的至少一种第一添加剂被加到所述电解质液中。在色素增感型光电转换元件中，光增感色素结合到所述多孔电极的表面。 | ||
| 搜索关键词： | 光电 转换 元件 制造 方法 电子设备 | ||
【主权项】：
一种光电转换元件，包括其中电解质层形成在多孔电极和对电极之间的结构，其中选自GuOTf、EMImSCN、EMImOTf、EMImTFSI、EMImTfAc、EMImDINHOP、EMImMeSO3、EMImDCA、EMImBF4、EMImPF6、EMImFAP、EMImEt2PO4和EMImCB11H12的至少一种第一添加剂被加到所述电解质层中。
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