[实用新型]一种新型薄膜混合集成电路成膜基片有效
| 申请号： | 201220684437.8 | 申请日： | 2012-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN203205420U | 公开（公告）日： | 2013-09-18 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 北京飞宇微电子有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/01 | 分类号： | H01L27/01 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100027 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种新型薄膜混合集成电路产品的薄膜成膜基片，其特征是：在衬底的同一平面上集成了多个方阻薄膜电阻和互联导体，这种结构的成膜基片可以进一步提高薄膜混合集成电路电阻的集成度，缩小产品体积，尤其能适合于电路复杂，电路中电阻元件数量多阻值跨度大的电子产品。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 薄膜 混合 集成电路 成膜基片 | ||
【主权项】：
一种薄膜混合集成电路产品的薄膜成膜基片，其特征是：其结构为在衬底的同一平面上集成了多个方阻的薄膜电阻和互联导带膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
