[实用新型]一种TFT-LCD阵列基板及显示装置有效

专利信息
申请号: 201220669139.1 申请日: 2012-12-06
公开(公告)号: CN202929336U 公开(公告)日: 2013-05-08
发明(设计)人: 王骁;曹昆 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司
主分类号: G02F1/1362 分类号: G02F1/1362;G02F1/1368
代理公司: 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 代理人: 申健
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 实用新型实施例提供了一种TFT-LCD阵列基板及显示装置,涉及液晶显示技术领域,可以改善残像现象,提高液晶显示装置的显示品质。TFT-LCD阵列基板包括:透明基板,设置在透明基板上的公共电极线,栅线和数据线,像素电极、公共电极、第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管;其中像素电极和公共电极在加电后形成多维电场;第二薄膜晶体管包括第二栅极、第二源极和第二漏极;其中,第二栅极与第n行栅线电连接,第n行栅线为除最后一行栅线之外的任一行栅线;第二漏极对应的与第n+1行栅线驱动的第一薄膜晶体管的像素电极电连接;第二源极与公共电极线电连接;其中,在阵列基板的一帧栅线扫描过程中,第n行栅线比第n+1行栅线先扫描。
搜索关键词: 一种 tft lcd 阵列 显示装置
【主权项】:
一种TFT‑LCD阵列基板,其特征在于,包括:透明基板,设置在所述透明基板上的公共电极线,交叉设置在所述透明基板上的栅线及数据线,设置在所述栅线及数据线限定的像素区域内的像素电极、公共电极和第一薄膜晶体管;其中所述像素电极和所述公共电极在加电后形成多维电场;所述第一薄膜晶体管包括第一栅极、第一源极和第一漏极,所述第一栅极与所述栅线连接,所述第一源极与所述数据线连接,所述第一漏极与所述像素电极连接;而且,所述阵列基板还包括:第二薄膜晶体管,所述第二薄膜晶体管包括第二栅极、第二源极和第二漏极;所述第二栅极与第n行栅线电连接,所述第n行栅线为除最后一行栅线之外的任一行栅线;所述第二漏极对应的与第n+1行栅线驱动的第一薄膜晶体管的像素电极电连接;所述第二源极与所述公共电极线电连接;其中,在所述阵列基板的一帧栅线扫描过程中,所述第n行栅线比所述第n+1行栅线先扫描。
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