[实用新型]一种晶体硅太阳正面主栅电极有效
| 申请号： | 201220660346.0 | 申请日： | 2012-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN203013743U | 公开（公告）日： | 2013-06-19 |
| 发明（设计）人： | 闵祥波;胡中 | 申请（专利权）人： | 江苏中宇光伏科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224 |
| 代理公司： | 江苏圣典律师事务所 32237 | 代理人： | 贺翔 |
| 地址： | 221621 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及晶体硅太阳电池技术领域，特别涉及一种晶体硅太阳正面主栅电极，包括三条主栅线、以及与所述主栅线垂直的多条副栅线，所述主栅线等距且平行设置，所述主栅线包括镂空段、与所述镂空段相连的实心段；使用本实用新型时，由于其主栅线中包括镂空段，因此，可减小正电极覆盖在硅片上的面积，减小正电极与硅片的接触电阻，提高太阳能电池片的光电转换效率；而且，所述镂空段中的空心部分不再需要填充导电浆料，因此，节省了导电浆料，降低了太阳能电池片的制造成本。本实用新型具有结构简单，设置合理，制作成本低等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶体 太阳 正面 电极 | ||
【主权项】：
一种晶体硅太阳正面主栅电极，包括三条主栅线（1）、以及与所述主栅线（1）垂直的多条副栅线（2），所述主栅线（1）等距且平行设置，其特征在于，所述主栅线（1）包括镂空段（3）、与所述镂空段（3）相连的实心段（4）。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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