[实用新型]一种阵列基板及显示装置有效
| 申请号： | 201220652746.7 | 申请日： | 2012-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN203085534U | 公开（公告）日： | 2013-07-24 |
| 发明（设计）人： | 崔承镇;金熙哲;宋泳锡;刘圣烈 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;G09F9/35;G02F1/1368;G02F1/1343 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型实施例提供一种阵列基板及显示装置，涉及显示技术领域，可以减少在阵列基板的制造过程中构图工艺的次数，有效降低产品的生产成本。阵列基板包括薄膜晶体管TFT和第一透明电极，还包括：依次形成于阵列基板表面的金属氧化物薄膜和刻蚀阻挡层薄膜；所述金属氧化物薄膜的图形和所述刻蚀阻挡层的图形通过一次构图工艺形成；通过金属化处理的所述金属氧化物薄膜的图形区域包括所述第一透明电极。本实用新型实施例还提供一种显示装置，包括前述的阵列基板。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 阵列 显示装置 | ||
【主权项】：
一种阵列基板，包括薄膜晶体管TFT和第一透明电极，其特征在于，还包括： 依次形成于阵列基板表面的金属氧化物薄膜和刻蚀阻挡层薄膜； 所述金属氧化物薄膜的图形和所述刻蚀阻挡层薄膜的图形通过一次构图工艺形成； 通过金属化处理的所述金属氧化物薄膜的图形区域包括所述第一透明电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
