[实用新型]限流电路有效
| 申请号： | 201220475704.0 | 申请日： | 2012-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN202798659U | 公开（公告）日： | 2013-03-13 |
| 发明（设计）人： | 余力;吴勇;桑园 | 申请（专利权）人： | 郑州单点科技软件有限公司 |
| 主分类号： | H03K19/094 | 分类号： | H03K19/094 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 450016 河南省郑州市经*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种限流电路，包括电压源（VDD）、输入端（IN）和输出端（OUT），所述电压源（VDD）与第一PNP晶体管（P1）的源极和第二PNP晶体管（P2）的源极连接，以及通过电阻（R1）连接至第一PMOS晶体管（P1）的栅极和NMOS晶体管（N1）的漏极；所述输入端（IN）连接至第一PMOS晶体管（P1）的漏极和第二PMOS晶体管（P2）的栅极；第二PMOS晶体管（P2）与NMOS晶体管（N1）的栅极，并通过恒流源（I1）连接至输出端（OUT）；所述NPN晶体管（N1）的源极连接至输出端（OUT）。本实用新型的有益效果是：电路结构简单，自身功耗小，适用于集成电路中应用。 | ||
| 搜索关键词： | 限流 电路 | ||
【主权项】：
一种限流电路，包括电压源（VDD）、输入端（IN）和输出端（OUT），其特征在于，还包括第一PMOS晶体管（P1）、第二PMOS晶体管（P2）、电阻（R1）、恒流源（I1）和NPN晶体管（N1）；所述电压源（VDD）与第一PNP晶体管（P1）的源极和第二PNP晶体管（P2）的源极连接，以及通过电阻（R1）连接至第一PMOS晶体管（P1）的栅极和NMOS晶体管（N1）的漏极；所述输入端（IN）连接至第一PMOS晶体管（P1）的漏极和第二PMOS晶体管（P2）的栅极；第二PMOS晶体管（P2）与NMOS晶体管（N1）的栅极，并通过恒流源（I1）连接至输出端（OUT）；所述NPN晶体管（N1）的源极连接至输出端（OUT）。
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