[实用新型]一种X射线平板传感器及X射线平板探测器有效
| 申请号： | 201220384818.4 | 申请日： | 2012-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN202796958U | 公开（公告）日： | 2013-03-13 |
| 发明（设计）人： | 李晓坤 | 申请（专利权）人： | 北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理事务所(普通合伙) 11270 | 代理人： | 王黎延;任媛 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种X射线平板传感器及X射线平板探测器，基于顶栅TFT结构形成X射线平板传感器及X射线平板探测器。包括基板、形成于基板一侧的顶栅型TFT和存储电容，所述存储电容包括第一ITO层、与所述第一ITO层形成存储电容的第二ITO层、用于输出电信号的第三ITO层、地线，所述第一ITO层与所述顶栅型TFT的漏电极和有源层直接连接，所述第二ITO层与所述地线直接连接，所述第三ITO层通过过孔与所述第一ITO层连接。简化了制备工艺，节省了一层钝化层。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 射线 平板 传感器 探测器 | ||
【主权项】：
一种X射线平板传感器，其特征在于，包括基板、形成于基板一侧的顶栅型TFT和存储电容，所述存储电容包括第一ITO层、与所述第一ITO层形成存储电容的第二ITO层、用于输出电信号的第三ITO层、地线，所述第一ITO层与所述顶栅型TFT的漏电极和有源层直接连接，所述第二ITO层与所述地线直接连接，所述第三ITO层通过过孔与所述第一ITO层连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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