[实用新型]一种卧式结构高压变频器功率单元有效

专利信息
申请号: 201220362879.0 申请日: 2012-07-25
公开(公告)号: CN202798426U 公开(公告)日: 2013-03-13
发明(设计)人: 马永述;黄林波;绳伟辉;邵长宏;王鹏;干永革 申请(专利权)人: 中冶赛迪电气技术有限公司
主分类号: H02M1/00 分类号: H02M1/00;H05K7/20
代理公司: 北京市炜衡律师事务所 11375 代理人: 曹健;赵作审
地址: 100176 北京市大*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 一种卧式结构高压变频器功率单元,其特征在于,的两个IGBT功率模块(10)关于旁路可控硅(11)对称排列,并紧密固定在散热器(2)上,均压电阻(12)排列于两个IGBT功率模块(10)的两侧,直流电解电容(6)成组排列于散热器(1)的左侧;通过电容连接母线(5)对多个直流电解电容(6)进行串、并联成组的连接,并实现使直流电解电容(6)同整流二极管(1)保持电气连接;整流二极管(1)以输入功率端子(3)作为其供电输入,直流电解电容(2)通过IGBT连接母线(8)将其连接于IGBT功率模块(10)的输入端,IGBT功率模块(10)的输出端通过输出功率端子(13)向壳体(4)外输出。
搜索关键词: 一种 卧式 结构 高压 变频器 功率 单元
【主权项】:
一种卧式结构高压变频器功率单元,包括整流二极管(1)、散热器(2)、输入功率端子(3)、壳体(4)、电容连接母线(5)、直流电解电容(6)、母线绝缘板(7)、IGBT连接母线(8)、吸收电容(9)、IGBT功率模块(10)、旁路可控硅(11)、均压电阻(12)以及输出功率端子(13),其特征在于,两个IGBT功率模块(10)关于旁路可控硅(11)对称排列,并全部紧密同定在散热器(2)上,两个IGBT功率模块(10)不相邻的两侧各设有一个均压电阻(12),直流电解电容(6)成组排列于散热器(1)的左侧;通过使用母线绝缘板(7)进行绝缘的电容连接母线(5)对多个直流电解电容(6)进行串、并联成组的连接,并同时实现直流电解电容(6)同GBT功率模块(10)和整流二极管(1)的电气连接;整流二极管(1)以输入功率端子(3)作为其供电输入,直流电解电容(2)通过IGBT连接母线(8)将其连接于IGBT功率模块(10)的输入端,IGBT功率模块(10)的输出端通过输出功率端子(13)向壳体(4)外输出。
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