[实用新型]一种薄膜磁阻传感器元件及薄膜磁阻电桥半桥和全桥有效
| 申请号： | 201220292129.0 | 申请日： | 2012-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN202994175U | 公开（公告）日： | 2013-06-12 |
| 发明（设计）人： | 王建国 | 申请（专利权）人： | 宁波瑞纳森电子科技有限公司 |
| 主分类号： | G01D5/12 | 分类号： | G01D5/12;G01R33/09;G01R17/00 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 楼高潮 |
| 地址： | 315336 浙江省宁波市杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种薄膜磁阻传感器元件，包括下电极、种子层、反铁磁钉扎层、磁性被钉扎层结构、非磁性隔离层、磁性自由层、保护层、上电极、偏磁层。本实用新型还涉及包含本实用新型的薄膜磁阻传感器元件的电桥。本实用新型的薄膜磁阻传感器元件及其组成的电桥的特点是：磁滞小，精度和线性度高，线性范围可调，工艺简单，响应频率高，成本低，抗干扰性强和温度特性好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜 磁阻 传感器 元件 电桥 | ||
【主权项】：
一种薄膜磁阻传感器元件，其特征在于：其结构依次包括下电极、种子层、反铁磁钉扎层、磁性被钉扎层、非磁性隔离层、磁性自由层、保护层、上电极、偏磁层。
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