[实用新型]一种硅太阳能电池铝背场结构有效
| 申请号： | 201220213985.2 | 申请日： | 2012-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN202585434U | 公开（公告）日： | 2012-12-05 |
| 发明（设计）人： | 范维涛;勾宪芳;曹华斌;宋爱珍;姜利凯;王鹏 | 申请（专利权）人： | 中节能太阳能科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 缪友菊 |
| 地址： | 100041 北京市石景*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型公开一种硅太阳能电池铝背场结构，包括两条直线型的银电极（4）以及分布在银电极两侧（4）的铝背场，铝背场包括位于所述银电极（4）之间的第一铝背场（5）和位于两条银电极（4）外侧的两个第二铝背场（6），两个第二铝背场（6）靠近硅片倒角处设置有与硅片倒角相对应的倒角（7），第一铝背场（5）和两个第二铝背场（6）与硅片接触的边缘处设置有波浪形接触部（8）；该铝背场结构充分利用硅片特性，增加铝背场面积，有效降低电池背面的复合速率，提高长波光谱响应，并且增加了硅铝接触面积有效地释放边缘应力，减少碎片率，提高了硅片质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 太阳能电池 铝背场 结构 | ||
【主权项】：
一种硅太阳能电池铝背场结构，包括两条直线型的银电极（4）以及分布在所述银电极两侧（4）的铝背场，所述铝背场包括位于两条所述银电极（4）之间的第一铝背场（5）和位于两条所述银电极（4）外侧的两个第二铝背场（6），其特征在于，所述两个第二铝背场（6）靠近硅片倒角处设置有与硅片倒角相对应的倒角（7），所述第一铝背场（5）和两个第二铝背场（6）与硅片接触的边缘处设置有波浪形接触部（8）。
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H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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