[实用新型]一种力敏传感器结构有效

专利信息
申请号: 201220063350.9 申请日: 2012-02-21
公开(公告)号: CN202522346U 公开(公告)日: 2012-11-07
发明(设计)人: 徐东升 申请(专利权)人: 徐东升
主分类号: G01L1/18 分类号: G01L1/18
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 315000 浙江省*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 随着微电子技术的发展,利用半导体材料的压阻效应和良好的弹性,研制出半导体力敏传感器,主要有硅压阻式和电容式两种,它们具有体积小、重量轻、灵敏度高等优点,因此半导体力敏传感器得到广泛应用。本实用新型提供一种力敏传感器结构,包括固定端、柔性支撑杆、力探测端、检测电路,其中,柔性支撑杆的一端固定于固定端,另一端与力探测端相连接;柔性支撑杆的结构为柔性的杆上镀有硅压阻材料,检测电路与柔性支撑杆上的硅压阻材料相连接。当力作用于力探测端时,柔性支撑杆发生弯曲,通过检测电路测出电阻的变化,进而探知力的大小。本实用新型采利用半导体硅材料大的压阻效应,通过杠杆实现力的放大,具有更高的灵敏度。
搜索关键词: 一种 传感器 结构
【主权项】:
一种力敏传感器结构,包括固定端、柔性支撑杆、力探测端、检测电路,其特征在于:所述的柔性支撑杆的一端固定于固定端,另一端与力探测端相连接;所述的柔性支撑杆的结构为柔性的杆上镀有硅压阻材料;所述的检测电路与柔性支撑杆上的硅压阻材料相连接。
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