[实用新型]一种GaAs激光电池的电极结构有效
申请号: | 201220038564.0 | 申请日: | 2012-02-07 |
公开(公告)号: | CN202454565U | 公开(公告)日: | 2012-09-26 |
发明(设计)人: | 宋婷 | 申请(专利权)人: | 西安航谷微波光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224 |
代理公司: | 西安西交通盛知识产权代理有限责任公司 61217 | 代理人: | 陈翠兰 |
地址: | 710075 陕西省西*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种GaAs激光电池的电极结构,包括n型电极和p型电极,p型电极为双p型电极,双p型电极由两个p型主电极通过其间纵向设置的p型栅电极连接构成;所述n型电极包括两条电极,两条n型电极与p型主电极中第1p型主电极平行设置,两条n型电极与p型栅电极垂直设置;所述双n型电极中第1n型电极置于第1p型主电极的外侧,双n型电极中第2n型电极置于双p型主电极内侧第1p型主电极间距的2/3处。本实用新型由于采取了在双p型主电极的第1p型主电极侧设置第1n型电极,在距离第1p型主电极2/3L处设置第2条n型电极;因而,光生载流子由p型主电极向n型电极的传输距离减小,外延层薄层电阻也相应减小。 | ||
搜索关键词: | 一种 gaas 激光 电池 电极 结构 | ||
【主权项】:
一种GaAs激光电池电极结构,包括n型电极和p型电极,p型电极为双p型电极,双p型电极由两个p型主电极通过其间纵向设置的p型栅电极连接构成,其特征在于,所述n型电极包括两条电极,两条n型电极与p型主电极中第1p型主电极平行设置,两条n型电极与p型栅电极垂直设置;所述两条n型电极中第1n型电极置于第1p型主电极的外侧,两条n型电极中第2n型电极置于双p型主电极内侧第1p型主电极间距的2/3处。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的