[发明专利]具有元件充电模式静电放电防护的集成电路有效
| 申请号： | 201210587481.1 | 申请日： | 2012-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN103187416A | 公开（公告）日： | 2013-07-03 |
| 发明（设计）人： | 叶致廷;梁咏智 | 申请（专利权）人： | 财团法人工业技术研究院 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 梁挥;王颖 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种具有元件充电模式静电放电防护的集成电路，包含一输入/输出电路、至少一元件充电模式静电放电(CDM ESD)防护装置以及一内部电路。该内部电路更包含至少一穿透硅通孔（TSV）经配置以耦接于该输入/输出电路的至少一接地端的一接地端及一该至少一元件充电模式静电放电防护装置之间，其中每一该至少一元件充电模式静电放电防护装置耦接于一该至少一穿透硅通孔及该至少一内部电路的一接地端之间。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 元件 充电 模式 静电 放电 防护 集成电路 | ||
【主权项】：
一种具有元件充电模式静电放电防护的集成电路，其特征在于，包含：一输入/输出电路；以及至少一静电放电防护装置，经配置以耦接于该输入/输出电路的至少一接地电位及至少一内部电路的一接地电位之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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