[发明专利]硅基薄膜叠层太阳能电池及其制造方法无效
| 申请号： | 201210578542.8 | 申请日： | 2012-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN103066153A | 公开（公告）日： | 2013-04-24 |
| 发明（设计）人： | 胡安红;曲铭浩;汝小宁;张津燕;徐希翔 | 申请（专利权）人： | 福建铂阳精工设备有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/078;H01L31/0352 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 362000 福建省泉州市鲤城区江南*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种硅基薄膜叠层太阳能电池及其制造方法，在透明基板上沉积透明导电氧化物薄膜；在所述透明导电氧化物薄膜表面依次沉积第一电池的正极p1层、发电层i1和负极n1层；在所述第一电池的表面沉积第二电池的正极p2层、发电层i2和负极n2层，形成双叠层电池；和/或在所述第二电池表面进一步沉积第三电池的正极p3层、发电层i3和负极n3层，形成三叠层电池；在沉积n1/p2，和/或n2/p3时，在结晶化的硅基n1和/或n2层中，引入导电的纳米硅氧薄膜，形成多层复合薄膜的隧穿结，同时对n1、p2和/或n2、p3的掺杂、晶化率和厚度进行调整和优化；在电池表面沉积导电薄膜背电极；进行层压封装和后续处理。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 太阳能电池 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种硅基薄膜叠层太阳能电池的制造方法，包括：在透明基板上沉积透明导电氧化物薄膜；在所述透明导电氧化物薄膜表面依次沉积第一电池的正极p1层、发电层i1和负极n1层；在所述第一电池的表面沉积第二电池的正极p2层、发电层i2和负极n2层，形成双叠层电池；和/或在所述第二电池表面进一步沉积第三电池的正极p3层、发电层i3和负极n3层，形成三叠层电池；其中，在沉积n1/p2，和/或n2/p3时，在结晶化的硅基n1和/或n2层中，引入导电的纳米硅氧薄膜，形成多层复合薄膜的隧穿结，同时对n1、p2和/或n2、p3的掺杂、晶化率和厚度进行调整和优化；在电池表面沉积导电薄膜背电极；进行层压封装和后续处理。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于福建铂阳精工设备有限公司，未经福建铂阳精工设备有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210578542.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
