[发明专利]一种在纳米材料表面制备10纳米以下亚结构的方法无效
| 申请号： | 201210570590.2 | 申请日： | 2012-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN103011064A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 万能;徐涛;张义;孙俊;孙立涛 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 王云 |
| 地址： | 211189 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种在纳米材料表面制备10纳米以下亚结构的方法，该方法为1）选用结晶良好、直径小于50纳米的金属氧化物纳米线材料；纳米线材料的长度不限；2）将纳米线承载在支撑衬底上；3）将支撑的纳米线放入电子枪的真空腔，抽真空直至电子枪可正常工作的范围；4）打开电子枪，调节电子束的强度和聚焦位置，根据所加工的样品尺度、形状的不同以及具体的需要可以使电子束在样品表面扫描或聚焦；通过控制刻蚀的时间和电子束的强度来控制刻蚀的表面形貌结构；5）刻蚀完成后取出样品即可。本发明的优点是：本方法适用于多种金属氧化物纳米材料，所制备得到的尺度小于10纳米，可大面积制备，操作方便。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 材料 表面 制备 10 以下 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种在纳米材料表面制备10纳米以下亚结构的方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：1）选用结晶良好、直径小于50纳米的金属氧化物纳米线材料；纳米线材料的长度不限；2）将纳米线承载在支撑衬底上得到支撑的纳米线样品；3）将支撑的纳米线样品放入电子枪的真空腔，抽真空直至电子枪可正常工作的范围；4）打开电子枪，调节电子束的强度和聚焦位置，根据所加工的样品尺度、形状的不同以及具体的需要可以使电子束在样品表面扫描或聚焦；通过控制刻蚀的时间和电子束的强度来控制刻蚀的表面形貌结构；5）刻蚀完成后取出样品，即在纳米材料表面得到10纳米以下亚结构。
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