[发明专利]离子注入系统

摘要

本发明公开了一种离子注入系统，包括一设有加热盘的基片台，所述基片台包括第一部分和第二部分，其中所述第一部分位于所述离子注入腔室内，用于给所述离子注入安置待注入样片；所述第二部分位于所述离子注入腔室外，与所述脉冲电源连接；所述加热盘设置在所述基片台的第一部分上，且通过所述第二部分与注入电极连接。本发明提供的离子注入系统，在低能掺杂注入的过程中通过加热盘对基片台上的硅片进行加热，使硅片表面浅层的掺杂离子在加热盘的加热下向深层进行扩散，从而避免掺杂离子在硅片表面浅层达到饱和后而难以继续进行低能掺杂注入，同时在加热盘对硅片进行加热的过程中，一定程度的修复了硅片在注入过程中的晶格损伤。

主权项

一种离子注入系统，包括：一离子注入腔室，用于给所述离子注入系统提供真空注入环境；一近气喷嘴，所述近气喷嘴设于所述离子注入腔室的第一边上，所述近气喷嘴用于给所述离子注入系统提供注入气体；一出气口，所述出气口设于所述离子注入腔室的第二边上，所述出气口用于将所述注入气体抽离所述离子注入腔室，且，所述第一边与所述第二边为对边；一脉冲电源，所述脉冲电源与基片台连接，用于给所述注入气体放电产生等离子体提供电源；一射频电源，所述射频电源与所述离子注入腔室连接，用于给所述离子注入提供射频电源；一组合泵，所述组合泵与所述出气口连接，所述组合泵用于通过出气口将反应后的注入气体抽走；一冷却系统，所述冷却系统用于对整个离子注入系统进行冷却；其中，所述离子注入系统还包括：一设有加热盘的基片台，所述基片台包括第一部分和第二部分，其中所述第一部分位于所述离子注入腔室内，用于给所述离子注入安置待注入样片；所述第二部分位于所述离子注入腔室外，与所述脉冲电源连接；所述加热盘设置在所述基片台的第一部分上，且通过所述第二部分与注入电极连接，所述加热盘内设有热电偶，所述加热盘通过所述热电偶进行温度的检测；所述加热盘采用电阻丝进行加热，且温度可调；所述加热盘内设有水冷机构，当加热盘温度过高时通过所述水冷机构进行降温。