[发明专利]HIT太阳能电池结构

摘要

本发明涉及太阳能电池技术领域，特别是一种HIT太阳能电池结构，包括N型硅片基材，在N型硅片基材的受光面具有用于形成异质结的P型重掺杂非晶硅膜，在P型重掺杂非晶硅膜上具有透明导电膜，透明导电膜上具有正面电极，透明导电膜为P型透明导电膜。P型透明导电膜为Ga、As、N共掺杂的ZnO透明导电膜。本发明的有益效果是：该结构HIT太阳能电池可以在保证光的透过率及高的导电率的同时降低载流子在P型重掺杂非晶硅膜与透明导电膜之间的势垒，提高电池的短路电流密度，从而提高电池的效率。

主权项

一种HIT太阳能电池结构，包括N型硅片基材（1），在N型硅片基材（1）的受光面具有用于形成异质结的P型重掺杂非晶硅膜（2），在P型重掺杂非晶硅膜（2）上具有透明导电膜，透明导电膜上具有正面电极（3），其特征是：所述的透明导电膜为P型透明导电膜。