[发明专利]一种双层同轴腔交叉耦合的腔体滤波器

摘要

本发明是一种双层同轴腔交叉耦合的腔体滤波器。包括有腔体壳10、腔体壳10所设的中空腔体分为上下两层，上下两层之间设有耦合壁6，每层中又分为左中右三个单腔，围成左中右双层同轴腔，其中上层包括有上层第一同轴腔21、上层第二同轴腔22、上层第三同轴腔23，下层包括有下层第一同轴腔31、下层第二同轴腔32、下层第三同轴腔33，其中上层第一个同轴腔21设有输入同轴线端口1，下层第三同轴腔33设有输出同轴线端口2。本发明宽频带、小体积，带外抑制好，而且功率容量较高。其主要性能指标将可以达到：1dB通带1805MHz～1880MHz，低频端带外抑制≥50dB，高频端带外抑制≥44dB，基本可以满足现有移动通信基站发射滤波器的要求。

主权项

一种双层同轴腔交叉耦合的腔体滤波器，其特征在于包括有腔体壳、腔体壳所设的中空腔体分为上下两层，上下两层之间设有耦合壁，每层中又分为左中右三个单腔，围成左中右双层同轴腔，其中上层包括有上层第一同轴腔、上层第二同轴腔、上层第三同轴腔，下层包括有下层第一同轴腔、下层第二同轴腔、下层第三同轴腔，其中上层第一个同轴腔设有输入同轴线端口，下层第三同轴腔设有输出同轴线端口，上层第一同轴腔与上层第二同轴腔之间通过第一挡板分隔，下层第二同轴腔、下层第三同轴腔之间通过第二挡板分隔，上层第一同轴腔底部的耦合壁上设有若干开口，其中右侧的开口上设有伸到下层第二同轴腔的斜板，上层第一同轴腔与下层第一同轴腔之间通过耦合壁上设有的开口实现耦合，下层第一同轴腔与下层第二同轴腔之间通过斜板下方的开口实现耦合，上层第一同轴腔与下层第二同轴腔通过斜板在该两腔之间形成的斜缝实现耦合，上层第一同轴腔、下层第一同轴腔和下层第二同轴腔之间形成交叉耦合，上层第二同轴腔与上层第三同轴腔之间开一个水平缝和一个垂直窗，上层第三同轴腔内靠垂直窗处设有一个“十”字形分隔架，上层第二同轴腔与上层第三同轴腔之间通过水平缝和垂直窗实现耦合，上层第三同轴腔与下层第三同轴腔之间通过耦合壁上设有的若干开口实现耦合，上层第二同轴腔与下层第三同轴腔之间通过水平缝和垂直窗实现耦合，上层第二同轴腔、上层第三同轴腔和下层第三同轴腔之间形成交叉耦合。