[发明专利]一种发光二极管外延片及其制备方法

摘要

本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法，属于二极管技术领域。所述外延片包括衬底层、以及依次覆盖在衬底层上的缓冲层、非掺杂的GaN层、N型接触层、N型扩展层、多量子阱层和P型层；N型扩展层是由若干第一子层和若干第二子层交替形成的超晶格结构；第一子层采用N型掺杂的AlxGa1-xN作为生长材料，0

主权项

一种发光二极管外延片，其特征在于，所述外延片包括衬底层、以及依次覆盖在所述衬底层上的缓冲层、非掺杂的GaN层、N型接触层、N型扩展层、多量子阱层和P型层；所述N型扩展层是由若干第一子层和若干第二子层交替形成的超晶格结构；所述第一子层采用N型掺杂的AlxGa1‑xN作为生长材料，0

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