[发明专利]薄膜太阳能电池组件的制备方法有效
| 申请号： | 201210509086.1 | 申请日： | 2012-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN102983219A | 公开（公告）日： | 2013-03-20 |
| 发明（设计）人： | 童君;杨春雷;肖旭东 | 申请（专利权）人： | 深圳先进技术研究院;香港中文大学 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0224 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 刘诚;吴平 |
| 地址： | 518055 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种薄膜太阳能电池组件的制备方法，包括如下步骤：在衬底上制备钼薄膜；对所述钼薄膜进行退火处理形成钼背电极，退火温度为400℃～580℃，退火时间为5～15分钟；及在所述钼背电极上依次制备铜铟镓硒或铜铟硒吸收层、缓冲层、窗口层及透明导电薄膜，形成所述薄膜太阳能电池组件。上述方法中，通过退火处理，将钼薄膜加工成为同时具备良好附着力、抗腐蚀以及良好导电性的适用于薄膜太阳能电池组件背电极。并且通过此改进，提高了薄膜太阳能电池组件器件的工作效率。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 太阳能电池 组件 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜太阳能电池组件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：在衬底上制备钼薄膜；对所述钼薄膜进行退火处理形成钼背电极，退火温度为400°C~580°C，退火时间为5~15分钟；及在所述钼背电极上依次制备光吸收层、缓冲层、窗口层及透明导电薄膜，形成所述薄膜太阳能电池组件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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