[发明专利]制备微透镜阵列的方法无效
| 申请号： | 201210505204.1 | 申请日： | 2012-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN102967891A | 公开（公告）日： | 2013-03-13 |
| 发明（设计）人： | 査国伟;喻颖;李密峰;王莉娟;倪海桥;贺正宏;牛智川 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | G02B3/00 | 分类号： | G02B3/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 曹玲柱 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种制备微透镜阵列的方法。该方法包括：在镓系半导体衬底上制备腐蚀掩模图形，该腐蚀掩模图形上分布若干的圆孔阵列，该圆孔阵列与待制备微透镜阵列在位置与形状上相对应；在低温下，将具有腐蚀掩模图形的镓系半导体衬底平放入可生成Br2的腐蚀液中进行腐蚀，其中，该腐蚀液的溶质为可生成Br2的反应物，溶剂为低熔点辅助溶剂；以及去除镓系半导体衬底上的腐蚀掩模图形，形成微透镜阵列。本发明采用低温腐蚀溶液，有效地降低了腐蚀过程中的侧向钻蚀效应，能够有效地限定微透镜的横向尺寸。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 透镜 阵列 方法 | ||
【主权项】：
一种制备微透镜阵列的方法，其特征在于，包括：在镓系半导体衬底上制备腐蚀掩模图形，该腐蚀掩模图形上分布若干的圆孔阵列，该圆孔阵列与待制备微透镜阵列在位置与形状上相对应；在低温下，将具有腐蚀掩模图形的镓系半导体衬底平放入可生成Br2的腐蚀液中进行腐蚀，其中，该腐蚀液的溶质为可生成Br2的反应物，溶剂为低熔点辅助溶剂；以及去除所述镓系半导体衬底上的腐蚀掩模图形，形成微透镜阵列。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院半导体研究所，未经中国科学院半导体研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210505204.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种车载透明的平视显示系统
- 下一篇：一种便携式UV-LED消毒器
